Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales
ISSN 0370-3908
MARTINEZ-VELASQUEZ, Nasly Y. RODRIGUEZ-MARTINEZ, Jairo Arbey. Propiedades electrónicas y estructurales del Ga 1-x Cr x As. []. , 42, 162, pp.26-31. ISSN 0370-3908. https://doi.org/10.18257/raccefyn.516.
Mediante el uso de principios basados en la teoría del funcional de la densidad - DFT (Density Functional Theory) se calcularon las propiedades electrónicas y estructurales del compuesto Ga1-x Cr x As. Empleando el método de ondas planas y la aproximación de pseudopotenciales atómicos ultra suaves se resolvieron las ecuaciones de Kohn-Sham. Para la energía de intercambio y correlación se empleó la aproximación de gradiente generalizado, dentro de la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) tal como está implementada en el código computacional Quantum-Espresso. Al dopar GaAs con impurezas de Cr, el sistema exhibe un comportamiento tipo half-metallic. Dicho material puede ser usado en espintrónica.
: Propiedades electrónicas; DFT; QE; Ga 1-x Cr X As.