Services on Demand
Journal
Article
Indicators
Cited by SciELO
Access statistics
Related links
Cited by Google
Similars in SciELO
Similars in Google
Share
Revista Facultad de Ingeniería Universidad de Antioquia
Print version ISSN 0120-6230On-line version ISSN 2422-2844
Abstract
LEIJA HERNANDEZ, Gabriela; LOPEZ BONILLA, José Luis and ITURRI HINOJOSA, Luis Alejandro. Análisis de desempeño de conmutadores de microondas serie - paralelo diseñados con diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores. Rev.fac.ing.univ. Antioquia [online]. 2011, n.58, pp.183-190. ISSN 0120-6230.
Se presenta un análisis del desempeño de conmutadores de señales microondas tipos serie y paralelo con base en diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores. Los materiales analizados son Si, GaAs, SiC, GaN, InP y GaSb. El conmutador tipo serie diseñado con diodos p-i-n de GaSb, GaAs, Si y GaN-ZB alcanza menores valores de pérdidas de inserción con respecto a diodos de otros materiales. Se percibe una diferencia de 0,2dB aproximadamente entre las respuestas de pérdida de inserción utilizando diodos de GaSb y SiC6H. Las respuestas más óptimas de aislamiento para frecuencias menores a 10 GHz se logra con conmutadores diseñados con diodos p-i-n de SiC y GaN. El conmutador de tipo paralelo diseñado con diodos p-i-n en base a GaN alcanza menores valores de pérdida de inserción respecto a diodos de otros materiales. Se perciben 0,2 dB aproximadamente de diferencia de pérdida de inserción entre las respuestas con diodos p-i-n de GaN y Si, en la frecuencia de 40 GHz, y una diferencia de 0,4 dB en la frecuencia de 60 GHz. Diodos p-i-n diseñados con GaN son los recomendados para el diseño de dispositivos conmutadores tipo paralelo.
Keywords : Diodos p-i-n; materiales semiconductores; conmutadores de señales microondas.