Abstract

BARZDENAS, Vaidotas et al. Verificación de un modelo de dispositivo sin defectos utilizando herramientas TCAD: desde la formación de transistores bipolares hasta la extracción de características I-V. Ing. Investig. [online]. 2021, vol.41, n.3, e207.  Epub Aug 24, 2021. ISSN 0120-5609.  https://doi.org/10.15446/ing.investig.v41n3.88685.

Este artículo describe el análisis de los procesos utilizados en la fabricación de dispositivos de micro y nanoelectrónica. También presenta un ejercicio de laboratorio ejemplar y novedoso en el que se ilustra y analiza paso a paso un transistor bipolar plano n + pn epitaxial con aislamiento de unión. Solo se utilizan siete pasos de fotolitografía para obtener esta estructura de transistor bipolar: para la formación de capas enterradas, para el aislamiento del transistor de unión y la formación de regiones colectoras, para la formación de regiones base, para la formación de regiones emisoras y colectoras n+, para ventanas de contacto, para la primera metalización de aluminio, y finalmente para pasivación. Las herramientas de software Silvaco TCAD se utilizan para implementar todos estos procesos de fabricación y para simular las características I-V resultantes de todas las estructuras de semiconductores presentadas. Este tipo de trabajo de laboratorio proporciona a los estudiantes conocimientos básicos y una comprensión constante de la fabricación de transistores bipolares. Asimismo, este estudio facilita la comprensión teórica, el análisis y la simulación de varios procesos de fabricación de semiconductores sin la necesidad de experimentos de fabricación tecnológicos costosos y largos. Este artículo también presenta las conclusiones y otros beneficios de dicho trabajo de laboratorio, así como posibles recomendaciones para una su mejora o expansión.

Keywords : educación en ingeniería electrónica; entorno de aprendizaje de laboratorio; tecnología de aprendizaje; herramientas TCAD.

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