Abstract

GONZALEZ, Juan Manuel et al. Influencia de la inserción de átomos de Si en la formación del compuesto Ti-Si-N por simulación DFT. ing.cienc. [online]. 2016, vol.12, n.23, pp.11-23. ISSN 1794-9165.  https://doi.org/10.17230/ingciencia.12.23.1.

Resumen Se simularon estructuras del SiN y TiN utilizando Teoría de Funcionales  de Densidad (DFT), con el fin de estudiar la influencia de la inserción de átomos de Si en la estructura del TiN en posiciones intersticiales y sustitu- cionales de una red cristalina cúbica centrada en las caras (FCC). Los re- sultados mostraron que la estructura SiN-FCC es pseudo estable, mientras que la estructura tetragonal es estable, con comportamiento cerámico. La estructura del TiN-FCC es estable con un comportamiento cerámico simi- lar al del SiN-tetragonal. La inserción de 21 % de átomos de Si en posiciones intersticiales, el material mostró alta deformación inducida, alta polariza- ción y formación de enlaces Si-N, indicadores de una transición amorfa que podría producir un compuesto formado por granos o nanogranos de TiN embebidos en una matriz amorfa de Si-N. Mientras que al incluir 21 % de Si sustituyendo átomos de Titanio, se observó una distribución más es- table, que puede producir diferentes fases del compuesto estequiométrico Ti1-xSixNy.

Keywords : teoría de funcionales de densidad; estructura cristalina; silicio; películas delgadas; recubrimiento.

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