Abstract

ARISTIZABAL, Parménides; RESTREPO, Ricardo León; OSPINA, Walter Antonio  and  DUQUE, Carlos Alberto. ENERGÍA DE ENLACE DE EXCITONES EN POZOS CUÁNTICOS DE GaAs/Ga_1-xAl_xAs. Rev.EIA.Esc.Ing.Antioq [online]. 2007, n.7, pp.121-126. ISSN 1794-1237.

El uso de las estructuras de baja dimensionalidad es un elemento tecnológico clave en la creación de nuevos dispositivos cuánticos funcionales de la siguiente generación de circuitos integrados electrónicos, fotónicos y espintrónicos y muchos otros dispositivos nanotecnológicos que son necesarios para la sociedad de la información del siglo XXI. Una de las propiedades ópticas más importante es la fotoluminiscencia producida por agentes tales como impurezas y excitones en pozos, hilos y puntos cuánticos de arseniuro de galio GaAs con dimensiones nanométricas bajo la influencia de campos eléctricos y magnéticos y presiones externas. Se presenta la energía de enlace para los tres primeros estados excitónicos en pozos cuánticos de GaAs/Ga_1-xAl_xAs describiendo el sistema por medio de la teoría cuántica, en la aproximación de masa efectiva y usando el método variacional.

Keywords : estructuras de baja dimensionalidad; nanotecnología; excitón; pozo cuántico; hilo cuántico; punto cuántico.

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