Abstract

VINASCO SUAREZ, Juan Alejandro; RADU, Adrian  and  DUQUE ECHEVERRI, Carlos Alberto. Propriedades eletrônicas de um anel quântico elíptico com seção transversal retangular (anel quântico elíptico). Rev.EIA.Esc.Ing.Antioq [online]. 2019, vol.16, n.31, pp.77-87. ISSN 1794-1237.  https://doi.org/10.24050/reia.v16i31.1255.

Os estados eletrônicos de um anel quântico elíptico de GaAs embutido em uma matriz de AlxGa1-xAs são investigados pela aproximação da massa efetiva. O anel quântico é construído com uma seção transversal retangular (direção radial). A equação de Schrödinger é resolvida pelo método dos elementos finitos. Na direção angular, a amplitude da altura é modulada, o que permite a geração de pontos quânticos ao longo do anel. As energias do elétron são relatadas como uma função das dimensões do anel, tanto os comprimentos das elipses no plano xy e sua altura (eixo z).

Keywords : Anel quântico elíptico; Confinamento finito, Método dos elementos finitos; Pontos quânticos.

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