Abstract

RASERO CAUSIL, D. A; PORTACIO LAMADRID, A. A  and  RODRIGUEZ, J. A. Efecto de la concentración de Ga sobre las propiedades electrónicas del CuIn_1-XGa_XSe₂. Ciencia en Desarrollo [online]. 2016, vol.7, n.1, pp.9-14. ISSN 0121-7488.

Resumen Se reportan cálculos de propiedades electrónicas del compuesto CuIn_1-xGa_xSe₂ (x = 0,0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0), usando el método Tight-Binding (TB) y Virtual Crystal Approximation (VCA). Se considera el caso ideal y con las distorsiones tetragonal (η) y aniónica (μ). En ambos casos, el CuIn_1-xGa_xSe₂ es un semiconductor directo en Γ, para todas las concentraciones. Se encontró que el Crystal Field Splitting (CFS) en el punto Γ depende principalmente de la distorsión tetragonal. El CFS es positivo para x < 0,32 y negativo para x > 0,32. Este comportamiento se debe a que cuando aumenta x, la celda unitaria se contrae, acercando el pseudoátomo (In,Ga) al átomo de Se.

Keywords : CuIn_1-xGa_xSe₂; Tight-Binding; aproximación de cristal virtual; Crystal Field Splitting.

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